VSSB410S-M3/52T
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB410S-M3/52T
| Artikelnummer: | VSSB410S-M3/52T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB410S-M3/52T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VSSB410S-M3/52T.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 770 mV @ 4 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse DO-214AA (SMB) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie TMBS® Verpackung / Gehäuse DO-214AA, SMB Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 250 µA @ 100 V Strom - Richt (Io) 1.9A Kapazität @ Vr, F 230pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer SB410 VSSB410S-M3/52T Einzelheiten PDF [English] VSSB410S-M3/52T PDF - EN.pdf -
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